技术分析：使用栅电阻控制IGBT开关

发布日期：2013-09-13 浏览次数：332

【慧聪电子网】用于控制、调节和开关的功率半导体器件需要较高的电压和较大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅电容的充放电控制,而栅电容的充放电通常又受栅电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(UG(on)),IGBT导通,负输出电压为-5、-8、-15V时,IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅电阻值来调节。栅电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数,从电磁干扰(EMI)到电压和电流的变化率。因此,栅电阻必须根据具体应用的参数仔细地选择和优化。

1. 栅电阻影响IGBT开关特性

每个IGBT开关特性的设定受外部电阻RG的影响。由于IGBT的输入电容在开关期间是变化的,必须被充放电,栅电阻通过限制导通和关断期间栅电流(IG)脉冲的幅值来决定充放电的时间(见图1)。由于栅峰值电流的增加,导通和关断的时间将会缩短且开关损耗也会减少,减小RG(on)和RG(off)的阻值会增大栅峰值电流。当减小栅电阻的阻值时,需要考虑的是大电流被过快地切换时所产生的电流随时间变化特性di/dt。电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰,这效果可在图2所示的IGBT关断时波形图中观察到。图中的阴影部分显示了关断损耗的相对值。集电 -发射电压UCE上的瞬间电压尖峰可能会损坏IGBT,特别是在短路关断操作的情况下,可以通过增加栅电阻的值来减小Ustray,以消除由于过电压带来的IGBT被损毁的风险。快速的导通和关断会导致du/dt和di/dt较高,因此会产生更多的电磁干扰(EMI),从而可能导致电路故障。

使用栅电阻控制IGBT开关

保护IGBT的续流二管的开关特性也受栅电阻的影响,并限制栅阻抗的小值。这意味着IGBT的导通开关速度只能提高到个与所用续流二管反向恢复特性相兼容的水平。栅电阻的减小不仅增大了IGBT的过电压应力,而且由于IGBT模块中diC/dt的增大,也增大了续流二管的过压限。通过使用特殊设计和优化的带软恢复功能的CAL(可控轴向寿命)二管,可以使得反向峰值电流小,从而使桥路中IGBT的导通电流小。

责任编辑：赵博

上页12下页在本页显示剩余内容